按照《建设项目环境影响评价信息公开机制方案》（环发[2015]162号）文件要求，现将研发测试及试验中心建设项目相关情况公示如下：

1.项目名称：研发测试及试验中心建设项目

2.建设地点：珠海市高新区金鼎工业片区金环路以北、金园二路西侧自建厂房（珠海高新技术产业开发区）

3.建设单位：珠海市威兆半导体有限公司

4.项目概况：

珠海市威兆半导体有限公司拟投资19654.94万元于珠海市高新区金鼎工业片区金环路以北、金园二路西侧自建厂房（珠海高新技术产业开发区）建设“研发测试及试验中心建设项目”（以下简称“本项目”），建设内容主要是集成电路芯片的设计及优化，通过不同类型实验设备测试验证芯片设计方案的可行性。年研发MOSFET、IGBT、SiCMOS三类芯片合计共10000颗。

报告表公示稿链接：链接：https://pan.baidu.com/s/13-XYnmwjI5z4A6FIIkCsKA

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